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美光突破1α制程工艺技术,率先在DRAM投入量产

2021年 1 月 27 日,中国上海 — 内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU) 今日宣布批量出货基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品。该制程是目前世界上最为先进的 DRAM 技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。这是继最近首推全球最快显存和 176 层 NAND 产品后,美光实现的又一突破性里程碑,进一步加强了公司在业界的竞争力。

美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 先生表示:“ 1α 节点印证了美光在 DRAM 领域的领先成就,同时也是我们对前沿设计和技术不懈追求的成果。对比我们上一代的 1z DRAM 制程,1α 技术将内存密度提升了 40%,为将来的产品和内存创新提供了坚实的基础。”

美光计划于今年将 1α  节点全面导入其 DRAM 产品线,从而更好地支持广泛的 DRAM 应用领域——为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强的性能。

美光继续领跑多个内存应用市场

美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 先生表示:“我们全新的 1α 技术将为手机行业带来最低功耗的 DRAM,同时也使美光于数据中心、客户端、消费领域、工业和汽车领域的 DRAM 客户受益匪浅。内存和存储预计是未来十年增长最快的半导体市场,美光凭借领先业界的 DRAM 和 NAND 技术,将在这个快速增长的市场中立于不败之地。”

美光的 1α 技术节点使内存解决方案更节能、更可靠,并为需要最佳低功耗 DRAM 产品的移动平台带来运行速度更快的 LPDDR5。美光为移动行业提供最低功耗的 DRAM 平台,实现了 15% 的节能[1],使 5G 用户在不牺牲续航的同时能在手机上进行更多任务操作。

美光的 1α 先进内存节点提供 8Gb 至 16Gb 的密度,将助力美光现有的 DDR4 和 LPDDR4 系列产品延长生命周期,并能为美光在服务器、客户端、网络和嵌入式领域的客户提供更低功耗、更可靠的产品及更全面的产品支持,从而降低客户再次验证的成本。对于具备较长产品生命周期的汽车嵌入式解决方案、工业 PC 和边缘服务器等应用场景而言,1α 制程同样保证了在整个系统生命周期内更具优势的总体拥有成本。

供应情况

美光位于台湾地区的工厂已开始批量生产 1α 节点 DRAM,首先出货的是面向运算市场的DDR4  内存以及英睿达 (Crucial) 消费级 PC DRAM 产品。美光同时也已开始向移动客户提供 LPDDR4 样片进行验证。公司将在 2021 自然年内推出基于该技术的更多新产品。


[1] 与美光上一代 1z 制程移动设备 DRAM 相比,功耗降低了 15%。

背景资料:

DRAM、CPU芯片都是集成电路IC,生产制造过程 (制程) 有相似之处,不过工艺进展并不相同,CPU 制程 工艺已经进入到了7nm,但DRAM主流还是使用20nm、18nm工艺,其中18nm就属于1X nm节点(16-19nm之间),后面的1Y nm则是14-16nm之间,1Z大概是12到14nm。再之后,美光提出的是1α及1β工艺,具体对应xx nm,有待进一步披露。

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