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长江存储计划2021年产量提高一倍

据日经亚洲评论报道,长江存储计划今年将产量提高一倍,并开始率先生产192层3D NAND闪存。

两名知情人士表示,长江存储计划到2021年下半年将存储芯片的月产量提高一倍,至10万片晶圆,约占全球总产量的7%。这将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉,三星电子目前每月约生产48万片晶圆,而美光的月产能约为18万片。

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此前4月13日,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。

作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。据长江存储介绍,128层QLC版本将率先应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域。

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2020年三季度以来,长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产64层与128层3D快闪记忆体晶片,但将逐步将更多产能转向后者。

据透露,长江存储最快将于2021年中展开192层3D NAND快闪晶片试产,将是中国半导体业者首次试产这类晶片。如三星、美光等市场一流供应商,目前仍在开发176层3D NAND晶片,而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。

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